賽晶科技發(fā)布車規(guī)級HEEV封裝SiC模塊
時(shí)間:2023-09-01 10:06:15
(相關(guān)資料圖)
賽晶科技8月31日在官方微信發(fā)布,8月30日上午,在PCIM Asia展的電力電子應(yīng)用論壇中,公司旗下賽晶半導(dǎo)體正式發(fā)布車規(guī)級HEEV封裝SiC(碳化硅)模塊,并做主題報(bào)告《高效高可靠新型封裝車規(guī)級SiC功率模塊》。
賽晶科技表示,為電動汽車應(yīng)用量身定做的HEEV封裝SiC模塊,導(dǎo)通阻抗低至1.8mΩ(@25),可用于高達(dá)250kW電驅(qū)系統(tǒng),并滿足電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)對高功率、小型化和高可靠性功率的需求。
作為一種更高功率密度的新型封裝工藝,采用HEEV封裝的SiC模塊,其體積和連接阻抗僅為其他頭部企業(yè)相同規(guī)格模塊的50%,且產(chǎn)品具有極低內(nèi)部雜散電感,是一種可直接水冷的高可靠性壓注封裝,具有高環(huán)境友好性和高功率循環(huán)壽命。
此次發(fā)布會上,賽晶科技還展示了賽晶半導(dǎo)體第二款SiC模塊–EVD封裝SiC模塊。該款產(chǎn)品采用乘用車領(lǐng)域普遍采用的全橋封裝,通過內(nèi)部優(yōu)化設(shè)計(jì)具有出色的性能表現(xiàn)。與業(yè)界頭部企業(yè)相同規(guī)格封裝模塊對比,賽晶EVD封裝SiC模塊的導(dǎo)通電阻低10%至30%,連接阻抗低33%,開關(guān)損耗相近或者更低(相同開關(guān)速度)。
(文章來源:上海證券報(bào)·中國證券網(wǎng))
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