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濕法腐蝕在半導體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學的芯片工程師是做不好芯片工藝的。正常一些的腐蝕Sio2等氧化層工藝，也有許多腐蝕銅、Al、Cr、Ni等金屬層工藝。有時還需要做一些晶圓的返工程序，如何配置王水、碘化物溶液等。相對于真空設備，成形穩定的工藝參數來講，化學間才是考驗芯片工程師的主要場地。

濕法腐蝕首先要了解水，一般容易都需要水去稀釋，配置成堿性或者酸性溶液。PH值的把控、比例配比。

(資料圖片僅供參考)

水也分很多種，半導體常用去離子水：

DI?Water?即?Deionized?Water，意為去離子水，也常被稱作純水(Pure water)，隨著半導體行業的發展，對純水水質的要求也在提高，在這高水質要求下所制造出來的水稱之為超純水(Ultra-pure?water)。

對于電阻率達18MΩ·cm的超純水，其水質要求如下表所示

純水每升含有10-7mol的H3O+離子和OH-離子。

PH值有一個公式計算。

這也是純水的PH值等于7的由來。

而如果把水溫度加熱到100℃，水的PH值能到6，因為H3O+和OH-的濃度都會增加。幾種常見容易的PH值

酸性溶液都是增加了溶液中的H3O+的濃度。

比如次氯酸、鹽酸、硫酸等。

酸堿的強度都可以用PKs表示。

Al的腐蝕

常用1~5%的硝酸，65~75%濃度的磷酸，5-10% CH 3 COOH乙酸

一下有鉻的腐蝕、金的腐蝕、、銀、鈦的腐蝕

Ti鈦的腐蝕也可以用BOE來腐蝕，速率差不多200A，5分鐘左右干凈。

單晶硅的腐蝕

總結一下常用的金屬腐蝕

化合物的腐蝕